CXLD64444T 3A超低噪声LDO稳压器 | 1.1V-6.5V输入 | 可调/引脚编程 | 7μVrms噪声 - 嘉泰姆电子

CXLD64444T 3A超低噪声LDO稳压器 | 1.1V-6.5V输入 | 可调/引脚编程 | 7μVrms噪声 - 嘉泰姆电子

产品型号:CXLD64444T
产品类型:LDO线性稳压器
产品系列:线性稳压器单通道输出
产品状态:量产
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产品简介

CXLD64444T 是一款3A超低噪声LDO稳压器,输入电压1.1V-6.5V,输出可调0.5V-5.5V(外部电阻)或0.5V-3.65V(引脚编程),压差180mV@3A,噪声低至7μVrms,PSRR 40dB@500kHz,带PG指示、软启动,采用WQFN-20L 3.5x3.5封装。嘉泰姆电子提供大电流低噪声LDO方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)1.1 - 6.5V
输出电压 (VOUT)0.5~5.5V
输出电流 (IOUT)3000mA
工作频率1000kHz
转换效率95%
封装类型WQFN3.5x3.5-20
Dropout voltage110 @ 3A
Quiescent current4200
Psrr.60dB@1kHz
Noise30μVRMS
Protection过流/过温
FeaturesAdjustable Soft-Start;Enable Input;Extra Low Noise;High PSRR;Low Dropout;OCP;Output Discharge;Power Good;Stable with Ceramic Capacitor
Application线性稳压器单通道输出
Temperature range-40℃~125℃
Output capacitorCeramic
Precision±1%
Bias RailNo
Charge PumpYes
Output Adj. MethodResistor

产品详细介绍

CXLD64444T 3A超低噪声LDO稳压器
1.1V-6.5V输入 | 可调/引脚编程输出 | 7μVrms噪声 | 180mV压差

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64444T | 封装:WQFN-20L 3.5x3.5

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64444T 是一款大电流(3A)、超低噪声(7μVrms)、高精度(±1%)的低压差线性稳压器,输入电压范围 1.1V 至 6.5V。器件提供两种输出电压设定方式:通过外部电阻分压实现 0.5V 至 5.5V 的可调输出,或通过引脚编程(无需外部电阻)实现 0.5V 至 3.65V 的固定输出(50mV步进)。CXLD64444T 具有 180mV 的超低压差(@3A)高PSRR(40dB@500kHz)超低噪声 特性,非常适合为 ADC、DAC、RF 组件、FPGA、DSP 和 ASIC 等噪声敏感型数字负载供电。器件集成 使能控制(EN)可编程软启动(NR/SS)功率良好指示(PGOOD)输出主动放电过流/过温保护,采用 WQFN-20L 3.5x3.5 封装,工作结温范围 -40°C~125°C。

核心优势: 3A 大电流 | 1.1V-6.5V 宽输入 | 输出可调(0.5-5.5V)或引脚编程(0.5-3.65V) | 压差180mV@3A | 超低噪声7μVrms | PSRR 40dB@500kHz | ±1% 精度 | 可编程软启动 | PGOOD指示 | 过流/过温保护 | WQFN-20L 3.5x3.5封装。

1. 产品概述与市场定位

在高端无线基础设施、FPGA/DSP 核心供电、射频前端以及精密数据转换器中,电源轨的 噪声瞬态响应电流能力 直接影响系统性能。CXLD64444T 凭借 3A 输出能力7μVrms 的超低输出噪声180mV 的极低压差,能够为高功耗、噪声敏感型负载提供干净、稳定的电源。器件支持 1.1V 超低输入电压,兼容低压电源轨,同时 引脚编程 功能无需外部反馈电阻,简化设计并减少 BOM。内置 NR/SS 引脚 实现噪声抑制和软启动可编程,PGOODEN 引脚便于系统时序控制。CXLD64444T 是替代多路 DC-DC 后级 LDO 的理想选择,适用于便携设备、无线基础设施、射频/中频组件等高性能应用。

2. 主要特点与技术亮点

3A 输出电流满足高功耗负载
超低噪声7μVrms(0.5V输出)
高PSRR40dB@500kHz
宽输入电压1.1V - 6.5V
双输出模式可调/引脚编程
低压差180mV@3A
高精度±1%
可编程软启动NR/SS电容控制
  • 超低噪声:输出噪声低至 7μVrms(0.5V 输出),10μVrms(3.3V 输出),为射频和精密模拟电路提供纯净电源。
  • 高PSRR:40dB@500kHz,有效抑制高频开关纹波,适合噪声敏感应用。
  • 双输出设定方式:外部电阻分压可调至 5.5V,引脚编程(50mV 步进)可设至 3.65V,无需外部电阻,节省空间。
  • 超低压差:3A 负载时典型压差 180mV(最大),提高效率,降低功耗。
  • 高精度:±1% 输出电压精度,满足严苛电压容差要求。
  • 可编程软启动:NR/SS 引脚电容同时实现噪声滤波和软启动时间编程,限制浪涌电流。
  • 功率良好(PGOOD):开漏输出,指示输出电压状态,便于系统级上电时序控制。
  • 全面保护:过流保护、过温保护(160°C 关断,20°C 迟滞)、欠压锁定(UVLO)。
  • 小封装:WQFN-20L 3.5x3.5 超小封装,适合高密度 PCB 布局。

3. 引脚配置与功能描述

图1. CXLD64444T 引脚封装图(WQFN-20L 3.5x3.5)

(此处预留封装外形及引脚排列示意图位置,编辑时可替换为实际封装图纸)

主要引脚:1,19,20=VOUT;2=SNS;3=FB;4=PGOOD;5-11=电压编程引脚(50mV,100mV,200mV,400mV,800mV,1.6V);12=NC;13=NR/SS;14=EN;15-17=VIN;8,18,21(EP)=GND

引脚功能表(部分关键引脚)
引脚号 名称 功能描述
1,19,20 VOUT 稳压输出,需靠近放置 ≥10μF 陶瓷电容(有效容值≥4.7μF)。
2 SNS 输出感测输入,引脚编程模式时接 VOUT;外部电阻模式时悬空。
3 FB 反馈输入,外部电阻分压设定输出电压(基准 0.5V)。
4 PGOOD 功率良好指示,开漏输出,需外接上拉电阻(10kΩ~100kΩ)。
5-11 50mV,100mV,...1.6V 输出编程引脚,接 GND 可叠加电压(50mV 步进),悬空无效。
13 NR/SS 噪声抑制/软启动,外接电容至 GND 降低噪声并设定启动时间。
14 EN 使能(高有效),高电平(>1.1V)使能,低电平(<0.5V)关断。
15-17 VIN 电源输入(1.1V~6.5V),需靠近放置 ≥22μF 陶瓷电容。
8,18,21(EP) GND 地,散热焊盘需焊接至大面积地平面。

4. 电气特性(设计参考)

极限参数 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VIN, PGOOD, EN 电压范围 -0.3 7 V
VOUT 输出电压 -0.3 VIN+0.3 V
NR/SS, FB 电压范围 -0.3 3.6 V
PD (TA=25°C) 功耗(WQFN-20L) 3.5 W
θJA 热阻(WQFN-20L) 28.5 °C/W
TJ 结温范围 -40 125(推荐) °C
TSTG 存储温度 -65 150 °C
ESD (HBM) 人体模型 2 kV
推荐工作条件
参数 最小值 最大值 单位
输入电压(VIN) 1.1 6.5 V
输出电压(可调/引脚编程) 0.5 5.5(可调)/3.65(编程) V
输出电流 0 3 A
结温范围 -40 125 °C
关键电气特性(VIN=1.1V~6.5V, VOUT(TARGET)=0.5V, VOUT接50Ω负载, VEN=1.1V, CIN=10μF, COUT=22μF, CNR/SS=0nF, TA=25°C,典型值)
参数 测试条件 典型值 单位
输入电压范围 1.1 – 6.5 V
反馈参考电压(VREF) 0.5 V
欠压锁定上升阈值 VIN上升 1.02 V
欠压锁定迟滞 150 mV
输出电压精度 5mA≤IOUT≤3A, VIN=VOUT+0.3V ±1(最大) %
线性调整率 1.4V≤VIN≤6.5V, IOUT=5mA 0.05 %/V
负载调整率 5mA≤IOUT≤3A 0.08 %/A
压差电压 IOUT=3A 180(最大) mV
PSRR f=500kHz, IOUT=3A 40 dB
输出噪声 100Hz~100kHz, VOUT=0.5V 7 μVrms
输出噪声 100Hz~100kHz, VOUT=3.3V 10 μVrms
EN 上升阈值 1.1(最小) V
EN 下降阈值 0.5(最大) V
关断电流 VEN<0.5V 25(最大) μA
过温关断阈值 160 °C
过温迟滞 20 °C

5. 典型应用电路

CXLD64444T 支持两种输出设定方式:外部电阻分压(可调至 5.5V)和引脚编程(0.5V~3.65V)。下图为外部电阻分压典型应用。

典型应用电路
图2. CXLD64444T 典型应用电路(外部电阻分压模式)

图3. CXLD64444T 内部功能方框图

内部集成:带隙基准、误差放大器、PMOS调整管、使能逻辑、UVLO、过流保护、过温保护、NR/SS软启动/噪声滤波、PGOOD比较器、输出放电、引脚编程电阻网络。

推荐外部元件(外部电阻模式)
位号 描述 推荐值 备注
CIN 输入陶瓷电容(X7R/X5R) ≥22μF(10V) 靠近VIN引脚
COUT 输出陶瓷电容(X7R/X5R) ≥10μF(有效容值≥4.7μF) 靠近VOUT引脚
CNR/SS 噪声抑制/软启动电容 10nF~1μF(推荐10nF) 靠近NR/SS引脚
R1, R2 反馈分压电阻(外部模式) 建议R2≤12kΩ VOUT = 0.5V×(1+R1/R2)
RPGOOD PGOOD上拉电阻 10kΩ~100kΩ 接逻辑电源(≤6.5V)

引脚编程模式:将 SNS 接 VOUT,编程引脚(5-11)按需接 GND,无需 R1/R2。详细设定请参考数据手册表2。

6. 工作原理与设计指导

6.1 输出电压设定(双模式)

外部电阻模式:通过 FB 引脚外接 R1/R2 分压,基准 0.5V:VOUT = 0.5V × (1+R1/R2)。建议 R2 ≤ 12kΩ 以减小噪声和偏置电流误差。
引脚编程模式:将 SNS 接 VOUT,通过短路引脚 5-11(50mV,100mV,200mV,400mV,800mV,1.6V)到 GND,输出电压为 0.5V + 各激活引脚电压之和(最大 3.65V)。无需外部电阻,简化设计。

6.2 软启动与噪声抑制(NR/SS)

NR/SS 引脚外接电容 CNR/SS 同时实现两个功能:
1) 与内部电阻构成低通滤波器,降低带隙基准噪声;
2) 设定启动斜率,限制浪涌电流。启动时间近似:tSS = (0.5V × CNR/SS) / INR/SS(INR/SS 为内部充电电流,典型值见数据手册)。推荐 CNR/SS ≥ 10nF 以获得低噪声性能。

6.3 使能与关断

EN 高电平(>1.1V)使能,低电平(<0.5V)关断,关断电流 <25μA。EN 内部有 50mV 迟滞,可容忍缓慢变化信号。若不用 EN,可接 VIN(建议串联电阻)。

6.4 功率良好(PGOOD)

开漏输出,当 FB 电压达到参考电压的 88% 以上(典型)时,PGOOD 为高阻(需上拉);当输出欠压、EN 关断、过流或过温时,PGOOD 拉低。可用于系统上电时序监控。

6.5 压差与功耗

压差 VDROP = RDS(ON) × IOUT,典型 RDS(ON) 约 60mΩ(180mV@3A)。最大功耗 PD(MAX) = (125°C - TA) / 28.5°C/W(WQFN-20L),25°C 时约 3.5W。实际功耗 = (VIN - VOUT)×IOUT,需保证结温 ≤125°C。

7. 应用信息与设计指导

7.1 输入/输出电容选型

  • CIN:推荐 ≥22μF 陶瓷(X7R/X5R),靠近 VIN 引脚,以抑制输入电压振铃。
  • COUT:推荐 ≥10μF(有效容值≥4.7μF)陶瓷,靠近 VOUT 引脚。如需更大电容(>22μF),建议在 2 英寸外以窄走线(<0.25英寸)连接额外电容。
  • CNR/SS:10nF~1μF,推荐 10nF,低漏电陶瓷电容。

7.2 前馈电容(CFF)

外部模式可在 R1 上并联 10nF 前馈电容,优化瞬态响应、PSRR 和噪声。但会延长启动时间,需权衡。

7.3 反向电流保护

若 VOUT > VIN + 0.3V,内部体二极管可能导通产生反向电流。建议在 VIN 与 VOUT 间并联肖特基二极管,限制压降 <0.3V,防止损坏。

7.4 PCB 布局建议

  • 输入输出电容紧靠 IC 引脚,走线短而宽。
  • GND 引脚/散热焊盘连接至大面积地平面,多过孔散热。
  • FB 和 SNS 走线远离噪声源,电阻分压器靠近 IC。
  • 编程引脚(5-11)走线尽量短,避免引入额外噪声。
  • PGOOD 上拉电阻靠近 IC,走线短。

图4. CXLD64444T PCB 布局参考(WQFN-20L)

(此处预留布局示意图位置,编辑时可替换为实际布局图纸)

8. 订购信息与技术支持

CXLD64444T 采用 WQFN-20L 3.5x3.5 封装,支持外部电阻模式和引脚编程模式,输出电压范围 0.5V~5.5V(可调)或 0.5V~3.65V(编程)。产品符合 RoHS 和 J-STD-020 标准。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持,助力客户快速完成大电流低噪声 LDO 电源设计。

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